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机译:GaN和Gaas高速晶体管的退化机制
Fan Ren; Brent P. Gila; Chien-Fong Lo; Lu Liu; Erica A. Douglas; David J. Cheney; Stephen J. Pearton;
机译:GaN和GaAs高速晶体管的降解机制
机译:大信号操作下AlGaAs / InGaAs功率拟态高电子迁移率晶体管的退化机理
机译:电气性能降低和基于物理学机制在P-GaN栅极高电子迁移率晶体管的负偏置温度不稳定性应力下
机译:GaN高电子迁移率晶体管中异常栅泄漏退化的潜在机理的综合研究
机译:分析和建模有助于AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管可靠性的物理机制。
机译:GaN和GaAs高速晶体管的降解机理
机译:具有基于GaAa或GaN的保护二极管的GaAs GaN场效应晶体管
机译:包括间隙,GaN和GaAs中的至少一个的晶体管
机译:至少由GAP,GAN和GAAS组成的晶体管
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